Ю. Ф. Бирюлин, В. П. Гермогенов, Я. И. Отман, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, Л. Е. Эпиктетова, “Влияние изовалентного легирования индием на « природные» акцепторы в антимониде галлия”, Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 6,страницы 1118

Влияние изовалентного легирования индием на « природные» акцепторы в антимониде галлия

Ю. Ф. Бирюлин, В. П. Гермогенов, Я. И. Отман, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, Л. Е. Эпиктетова

Аннотация: При 4.2 K исследована фотолюминесценция эпитаксиальных пленок антимонида галлия, легированного индием. Обнаружено, что легирование индием до уровня ${\sim0.1}$ ат% (${3\cdot10^{19}\,\text{см}^{-3}}$) приводит к уменьшению концентрации основных «природных» акцепторов, понижению концентрации свободных дырок и усилению экситонной излучательной рекомбинации. Установлено, что наиболее вероятная причина этих явлений — уменьшение концентрации вакансий в анионной подрешетке.