А. А. Шемухин, Ю. В. Балакшин, В. С. Черныш, С. А. Голубков, Н. Н. Егоров, А. И. Сидоров, “Механизмы дефектообразования и рекристаллизации в пленках кремния на сапфире при ионном облучении”, Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4,страницы 535

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Механизмы дефектообразования и рекристаллизации в пленках кремния на сапфире при ионном облучении

А. А. Шемухин^a, Ю. В. Балакшин^ab, В. С. Черныш^ab, С. А. Голубков^c, Н. Н. Егоров^c, А. И. Сидоров^c

^a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, 119991 Москва, Россия
^b Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
^c Научно-исследовательский институт материаловедения, 124460 Москва, Зеленоград, Россия

Аннотация: Исследовано влияние параметров облучения (энергия, доза) КНС-структур ионами Si$^+$ на качество кристаллической структуры пленки кремния после проведения твердофазной эпитаксиальной рекристаллизации и отжига. Показано, что наиболее эффективным механизмом восстановления кристаллической структуры является рекристаллизация от поверхностного слоя кремния, являющегося затравкой.

Поступила в редакцию: 04.06.2013
Принята в печать: 19.06.2013