RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 556–563 (Mi phts7575)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Свойства пленок Zn$_{1-x}$Co$_x$O, полученных методом импульсного лазерного осаждения с использованием скоростной сепарации осаждаемых частиц

А. А. Лотинa, О. А. Новодворскийa, В. В. Рыльковb, Д. А. Зуевa, О. Д. Храмоваa, М. А. Панковb, Б. А. Аронзонbc, А. С. Семисаловаcd, Н. С. Перовd, A. Lashkulc, E. Lahderantac, В. Я. Панченкоabd

a Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, 140700 Шатура, Московская область, Россия
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия
c Lappeenranta University of Technology, Box 20, Lappeenranta 53851, Finland
d Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Изучены структурные, оптические, магнитные и транспортные свойства пленок Zn$_{1-x}$Co$_x$O ($x$ = 0.05–0.45) толщиной $d$ = 60–300 нм, полученных на подложках Al$_2$O$_3$ (0001) при температуре $T_s$ = 500$^\circ$C методом импульсного лазерного осаждения с использованием сепарации осаждаемых частиц по скорости. Показано, что тройной твердый раствор Zn$_{1-x}$Co$_x$O сохраняет кристаллическую структуру типа вюрцита вплоть до $x$ = 0.35 при получении пленок в условиях низкого давления буферного кислорода ($\sim$10$^{-6}$ Торр). Установлено, что в этих условиях концентрация электронов превышает 10$^{20}$ см$^{-3}$ из-за высокой плотности донорных вакансий кислорода. При этом в пленках начинает проявляться ферромагнетизм в намагниченности и аномальном эффекте Холла при температурах выше 100 K. Знак аномального эффекта Холла в пленках оказался положительным и противоположным знаку нормального эффекта Холла, так же как в металлических слоях Co, что указывает на кластерную природу ферромагнетизма пленок Zn$_{1-x}$Co$_x$O. В тонких слоях Zn$_{1-x}$Co$_x$O ($d$ = 60 нм, $x$ = 0.2) в поперечном магнитном поле выявлен сильный гистерезис в магнетосопротивлении, свидетельствующий о перпендикулярной магнитной анизотропии пленок. Такая анизотропия объясняется структурированностью слоев (“вытянутостью” магнитных кластеров вдоль оси роста пленок), которая может приводить к заметному усилению ферромагнетизма.

Поступила в редакцию: 21.03.2013
Принята в печать: 20.08.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:4, 538–544

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025