RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 570–575 (Mi phts7577)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Особенности формирования золь–гель методом композитов 3$d$-металл/пористый кремний и их оптические свойства

А. С. Леньшинa, П. В. Серединa, Д. А. Минаковa, В. М. Кашкаровa, Б. Л. Агаповa, Э. П. Домашевскаяa, И. Е. Кононоваb, В. А. Мошниковb, Н. С. Теребоваc, И. Н. Шабановаc

a Воронежский государственный университет, 394000 Воронеж, Россия
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт Уральского отделения РАН, 426000 Ижевск, Россия

Аннотация: Проведены исследования состава и оптических свойств композитов на основе пористого кремния с осажденными золь–гель методом железом, кобальтом и никелем. Показано, что осаждение металлооксидных пленок на поверхность пористого кремния способствует повышению интенсивности и стабилизации фотолюминесценции, а также сохранению водорода в пористом слое.

Поступила в редакцию: 01.04.2013
Принята в печать: 08.04.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:4, 551–555

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025