Аномальное распределение германия, имплантированного в диэлектрический слой структуры КНИ, после отжига радиационных дефектов

Исследован профиль распределения германия в структуре Si/SiO$_2$/Si после имплантации $^{74}$Ge в диэлектрический слой SiO$_2$, сращивания с приборным слоем Si и высокотемпературного отжига. Обнаружены аномально высокий перенос и накопление атомов $^{74}$Ge у границы SiO$_2$/Si, удаленной от границы сращивания. Наблюдаемое распределение $^{74}$Ge не укладывается в рамки существующей модели диффузии Ge в Si и SiO$_2$ при постимплантационном отжиге. Предложена модифицированная модель диффузии атомов Ge вблизи границ Si/SiO$_2$, качественно объясняющая наблюдаемые особенности.