RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 5, страницы 636–638 (Mi phts7587)

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Heat capacity of hexagonal boron nitride sheet in Holstein model

Hamze Mousaviab

a Department of Physics, Razi University, Kermanshah, Iran
b Nano Science and Nano Technology Research Center, Razi University, Kermanshah, Iran

Аннотация: The effects of electron-phonon interaction on the electronic heat capacity of hexagonal boron nitride plane are investigated within the Holstein Hamiltonian model and Green's function formalism. By using different electron-phonon coupling constants of boron and nitrogen sublattices, it is found that the specific heat has different behaviors in two temperature regions. In the low temperature region, the electron-phonon interaction causes the enhancement of specific heat due to decreasing the band gap, while heat capacity reduces in the high temperature region because of decreasing the excitation spectrum.

Поступила в редакцию: 22.11.2012
Принята в печать: 26.08.2013

Язык публикации: английский


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:5, 617–620

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025