Р. В. Конакова, А. Ф. Коломыс, О. Б. Охрименко, В. В. Стрельчук, А. М. Светличный, М. Н. Григорьев, Б. Г. Коноплев, “Особенности спектров комбинационного рассеяния света структур кварц/Si и стекло/Si, обусловленные лазерным отжигом”, Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 5,страницы 639

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Особенности спектров комбинационного рассеяния света структур кварц/Si и стекло/Si, обусловленные лазерным отжигом

Р. В. Конакова^a, А. Ф. Коломыс^a, О. Б. Охрименко^a, В. В. Стрельчук^a, А. М. Светличный^b, М. Н. Григорьев^b, Б. Г. Коноплев^b

^a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, 03028 Киев, Украина
^b Таганрогский технологический институт Южного федерального университета, 347928 Таганрог, Россия

Аннотация: Методом комбинационного рассеяния света исследовано влияние лазерного излучения на характеристики пленок аморфного кремния на стеклянной и кварцевой подложках. Выявлено, что увеличение мощности лазерной обработки приводит к фазовому переходу от аморфного кремния к нано-Si. Изменение соотношения доли нанокристаллического и аморфного кремния в пленке описывается в рамках модели критического воздействия.

Поступила в редакцию: 12.08.2013
Принята в печать: 26.08.2013