RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 6, страницы 731–735 (Mi phts7604)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Люминесцентные свойства тонких нанокристаллических пленок карбида кремния, изготовленных прямым ионным осаждением

И. В. Миргородскийa, Л. А. Голованьa, В. Ю. Тимошенкоa, А. В. Семеновb, В. М. Пузиковb

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
b Институт монокристаллов НАН Украины, 61001 Харьков, Украина

Аннотация: Нанокомпозитные пленки, содержащие нанокристаллы кремния и карбида кремния, были изготовлены методом прямого ионного осаждения на кремниевые подложки. Полученные пленки были исследованы методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. Обнаружено, что изучаемые образцы обладают двумя полосами фотолюминесценции – в “красной” и ближней инфракрасной (600–1000 нм) и “синей” областях (400–550 нм), которые объясняются соответственно излучательной рекомбинацией экситонов в кремниевых нанокристаллах и излучательными переходами между уровнями локальных центров (дефектов) на поверхности кремниевых нанокристаллов и в окружающей матрице. Кратковременная выдержка пленок в растворе на основе плавиковой кислоты приводила к модификации спектра излучения и возрастанию интенсивности экситонной полосы вследствие пассивации дефектов на поверхности кремниевых нанокристаллов.

Поступила в редакцию: 17.07.2013
Принята в печать: 19.08.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:6, 711–714

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025