RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 6, страницы 736–741 (Mi phts7605)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Оптические свойства и электронная структура диодида ртути

В. В. Соболевa, В. Вал. Соболевb, Д. В. Анисимовa

a Удмуртский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия
b Ижевский государственный технический университет им. М. Т. Калашникова, 426069 Ижевск, Россия

Аннотация: Определены спектры комплексов оптических функций кристалла HgI$_2$ для поляризации $\mathbf{E}\perp\mathbf{c}$ в области 0–20 эВ. Спектры $\varepsilon_2$ и -Im$\varepsilon^{-1}$ разложены на элементарные компоненты с установлением их основных параметров. Расчеты выполнены на основе экспериментального спектра отражения при 100 K для $\mathbf{E}\perp\mathbf{c}$ и компьютерных программ, составленных с помощью интегральных соотношений Крамерса–Кронига, аналитических формул и метода объединенных диаграмм Арганда. Установлены основные особенности спектров оптических функций и параметров компонент полос разложений $\varepsilon_2$ и -Im$\varepsilon^{-1}$.

Поступила в редакцию: 02.07.2013
Принята в печать: 20.08.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:6, 715–721

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025