В. А. Макара, Л. П. Стебленко, О. А. Коротченков, А. Б. Надточий, Д. В. Калиниченко, А. Н. Курилюк, Ю. Л. Кобзарь, А. Н. Крит, С. Н. Науменко, “Изменение зарядового и дефектно-примесного состояния кремния для солнечной энергетики под воздействием магнитного поля”, Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 6,страницы 742

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Изменение зарядового и дефектно-примесного состояния кремния для солнечной энергетики под воздействием магнитного поля

В. А. Макара^a, Л. П. Стебленко^a, О. А. Коротченков^a, А. Б. Надточий^a, Д. В. Калиниченко^a, А. Н. Курилюк^a, Ю. Л. Кобзарь^a, А. Н. Крит^b, С. Н. Науменко^a

^a Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет, 01601 Киев, Украина
^b Учебно-научный центр "Физико-химическое материаловедение" Киевского национального университета им. Тараса Шевченко и Национальной академии наук Украины, 01601 Киев, Украина

Аннотация: Исследуется влияние слабого постоянного магнитного поля на структуру и зарядовое состояние кремния для солнечной энергетики. Выявлено, что магнитостимулированные изменения дефектно-примесного состояния и поверхностного потенциала носят обратимый характер.

Поступила в редакцию: 04.07.2013
Принята в печать: 23.09.2013