Эпитаксиальные слои InAsSbP с предельным содержанием фосфора, изоморфные с подложкой InAs

Представлены экспериментальные результаты наращивания многокомпонентных твердых растворов InAs$_{1-x-y}$Sb$_y$P$_x$ для составов 0.43 $<x<$ 0.72 методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений при низкой температуре осаждения ($T<$ 520$^\circ$C) с использованием металлорганического источника мышьяка. Предложена модель роста эпитаксиального слоя InAsSbP, изоморфного с подложкой InAs, при заданном значении соотношения концентрации фосфора и сурьмы в твердой фазе.