RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 6, страницы 759–762 (Mi phts7609)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Свойства пленок TiO$_2$ на кремниевых подложках

В. М. Калыгина, В. А. Новиков, Ю. С. Петрова, О. П. Толбанов, Е. В. Черников, С. Ю. Цупий, Т. М. Яскевич

Сибирский физико-технический институт им. акад. В. Д. Кузнецова при Томском государственном университете, 634050 Томск, Россия

Аннотация: Исследовано влияние материала подложки и воздействие кислородной плазмы на микрорельеф и электрические характеристики пленок TiO$_2$, полученных ВЧ магнетронным распылением. Показано, что наиболее сплошные пленки с меньшей шероховатостью получаются при напылении их на кремниевые подложки. Изменение вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик структур после воздействия кислородной плазмы объясняется диффузией атомов кислорода через пленку оксида титана и появлением слоя SiО$_2$ на границе Si–TiO$_2$.

Поступила в редакцию: 10.09.2013
Принята в печать: 21.09.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:6, 739–742

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025