Контроль формирования слоев графена на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ дифракции быстрых электронов на отражение

Исследовано изменение дифракционных картин в режиме in situ в процессе формирования графена на поверхности подложек 6H-SiC(0001). Определены характерные особенности изменения дифракционных картин при индуцированных термическим отжигом морфологических переходах от изначально шероховатой поверхности 6H-SiC(0001) к ступенчато-террасированной с последующим формированием на ней буферного углеродного слоя и, далее, эпитаксиального графена. С помощью ex situ методов атомно-силовой микроскопии, сканирующей электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света установлена корреляция морфологии, стехиометрического состава и степени совершенства поверхности образцов с наблюдаемыми дифракционными картинами, полученными на соответствующих этапах формирования графена.