Магнитосопротивление в слоистых полупроводниках при рассеянии на ионах примеси в параллельном магнитном поле

Выполнен расчет магнитосопротивления полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, направленном поперек оси сверхрешетки, при рассеянии носителей тока на ионах примеси. Показано, что знак поперечного магнитосопротивления существенно зависит от степени заполнения зоны, величины магнитного поля и соотношения между радиусом экранирования, радиусом циклотронной орбиты и постоянной сверхрешетки. В параллельном магнитном поле поперечное магнитосопротивление двумерного электронного газа положительно в сильном и отрицательно в слабом поле. Поперечное магнитосопротивление квазидвумерного электронного газа меняет свой знак из-за наличия в мини-зоне области с отрицательной эффективной массой.