Оценка качества эпитаксиальных слоев GaAs и их интерфейсов посредством анализа спектров экситонного поглощения

Оптические экситонные спектры чувствительны даже к весьма незначительным изменениям свойств материала. Особенно информативны спектры такой квазичастицы как экситонный поляритон, хотя их спектроскопия и накладывает ограничения по температуре измерений и качеству материала. Параметры экситона, такие как резонансная частота $\omega_T$ и коэффициент затухания $\Gamma$, могут меняться под действием электрического поля, наличия дефектов, изменения химического состава пленки. Если свойства материала изменяются по толщине пленки, то и резонансная частота, и коэффициент затухания тоже изменяются вдоль пространственной координаты $z$. Исследовались нелегированные слои GaAs при $T$ = 1.7 K, выращенные эпитаксиально на подложке из GaAs. По спектрам экситонного края поглощения выполнены оценки глубин “мертвых” слоев, электрических полей и концентрации примесей.