RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 6, страницы 781–787 (Mi phts7623)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние эффекта Штарка на резонансный перенос возбуждения между квантовыми точками

П. А. Головинскийab

a Московский физико-технический институт (государственный университет), 141700 Долгопрудный, Россия
b Воронежский государственный архитектурно-строительный университет, 394006 Воронеж, Россия

Аннотация: Теоретически изучен резонансный перенос энергии между экситонными состояниями в системе из двух полупроводниковых квантовых точек. Построен модельный гамильтониан, позволяющий описывать влияние на динамику системы резонансного лазерного импульса, кулоновского взаимодействия, статического эффекта Штарка и релаксации экситонных состояний. Приведены конкретные примеры расчетов эффективности переноса энергии для разных условий возбуждения и положения энергетических уровней. Показана управляемость процесса с помощью сдвига уровней в постоянном электрическом поле.

Поступила в редакцию: 13.06.2013
Принята в печать: 05.08.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:6, 760–766

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025