RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 6, страницы 797–800 (Mi phts7626)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Коэффициент фотоплеохроизма и его температурная динамика в гетеропереходах собственный оксид-$p$-InSe

В. Н. Катеринчук, З. Р. Кудринский, З. Д. Ковалюк

Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Исследована температурная зависимость коэффициента фотоплеохроизма для гетероперехода собственный оксид-$p$-InSe. Зарегистрирована разная температурная зависимость сдвига длинноволнового края фототока для двух ориентаций поляризации $\mathbf{E}\parallel\mathbf{C}$ и $\mathbf{E}\perp\mathbf{C}$.

Поступила в редакцию: 29.08.2013
Принята в печать: 25.09.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:6, 776–778

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025