Электрофизические свойства многослойной структуры SiC–Si

Представлен анализ зарядовых свойств многослойной структуры, состоящей из политипов карбида кремния на кремниевой подложке. Знание свойств области пространственного заряда кремния и возможность воздействия на поверхность структуры в эффекте поля [1] позволило получить данные о зарядовых процессах на межфазной границе политипов. Эти данные актуальны для совершенствования методов синтеза электронных структур на основе политипов SiC.