RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 6, страницы 827–823 (Mi phts7632)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

Углеродные системы

Сравнение разных способов переноса графена и мультиграфена, выращенных методом химического газофазного осаждения, на изолирующую подложку SiO$_2$/Si

И. В. Антоноваa, С. В. Голодa, Р. А. Соотсa, А. И. Комоновa, В. А. Селезневa, М. А. Сергеевa, В. А. Володинab, В. Я. Принцa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Целью работы было сравнение результатов переноса слоев графена и мультиграфена толщиной до 5 нм, выращенных методом химического газофазного осаждения при пониженном давлении (CVD), на подложку SiO$_2$/Si с использованием четырех различных полимерных пленок. Выбранные способы переноса основывались на наиболее перспективных литературных вариантах: использование полиметил метакрилата, полидиметилсилоксана, термоскотча и поликарбоната. Показано, что наиболее перспективным способом переноса (минимальное сопротивление и максимальная подвижность носителей) является использование тонких пленок поликарбоната с растворением их в хлороформе. В этом случае стабильно получались следующие результаты: сопротивление графена и мультиграфена составляло 250–900 Ом/$\square$, а подвижность носителей 900–2500 см$^2$$\cdot$ с.

Поступила в редакцию: 12.09.2013
Принята в печать: 27.09.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:6, 804–808

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025