Химический и фазовый состав спиновых светоизлучающих диодов GaMnAs/GaAs/InGaAs

Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии совместно с ионным профилированием проведен количественный химический анализ структур спиновых светоизлучающих диодов со спин-инжектирующим слоем GaMnAs и квантовой ямой InGaAs. Получено распределение фаз по глубине и выявлены причины их перераспределения. В спин-инжектирующем слое количество антиферромагнитного Mn и ферромагнитного MnAs находится на одном уровне. Усовершенствована методика разделения фаз и контроля правильности определения содержания компонентов.