RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 6, страницы 845–851 (Mi phts7635)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Диффузионный механизм роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов с участием горячих атомов

М. В. Гранкинa, А. И. Бажинb, Д. В. Гранкинa

a Приазовский государственный технический университет, 87500 Мариуполь, Украина
b Донецкий национальный университет, 83001 Донецк, Украинa

Аннотация: Развита кинетическая модель роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов за счет адсорбции из газовой среды, учитывающая наряду с поверхностной равновесной диффузией адатомов процессы неравновесной диффузии возбужденных (“горячих”) атомов, образованных в актах адсорбции, и их релаксацию в результате аккомодации энергии возбуждения по электронному каналу на каплях катализатора. Проведено моделирование процессов на поверхности с помощью вероятностного метода Монте-Карло. Показано, что процессы релаксации горячих адатомов могут определять скорость роста нитевидных нанокристаллов. Найдены условия, когда реализуется рост нитевидных нанокристаллов по механизмам равновесной или неравновесной диффузии адатомов. Показано, что скорость роста нитевидных нанокристаллов зависит от диаметра нанокапель, расстояния между ними и длины пробега возбужденных в актах адсорбции атомов.

Поступила в редакцию: 22.08.2013
Принята в печать: 25.09.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:6, 821–827

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025