Особенности двухкомпонентного распада молекул моносилана на поверхности кремния в условиях эпитаксиального процесса

С использованием результатов технологических экспериментов на базе двухкомпонентной кинетической модели (SiH$_4$ $\to$ SiH$_3$ + SiH) определена область характерных частот распада радикалов молекул гидридов кремния, адсорбируемых поверхностью роста слоя в диапазоне температур 450–700$^\circ$C, и оценена степень покрытия поверхности кремния радикалами SiH$_j$ в условиях эпитаксиального роста. Определены характер температурных зависимостей степени заполнения поверхности отдельными фрагментами молекул и скорости их распада на поверхности кремния в различных режимах, соответствующих постоянству во всем температурном интервале отношения концентраций радикалов моносилана (SiH = $g$SiH$_3$), либо постоянству скоростей их распада $(\nu_{\mathrm{SiH_3}}=\xi\nu_{\mathrm{SiH}})$. Показано, что наблюдаемый вид температурной зависимости скорости распада молекул на поверхности роста не описывается простыми кривыми активационного типа, что связано c особенностями взаимодействия молекулярного пучка гидрида с поверхностью Si в условиях низкого и высокого уровней заполнения поверхностных связей водородом. Рассмотрено влияние на вид температурных зависимостей характера адсорбции атомов водорода и различных условий их перехода с молекулы на поверхность роста.