RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 7, страницы 868–874 (Mi phts7639)

Эта публикация цитируется в 28 статьях

Электронные свойства полупроводников

Взаимосвязь фотокаталитических и фотолюминесцентных свойств оксида цинка, легированного медью и марганцем

И. А. Пронинa, Б. В. Донковаb, Д. Ц. Димитровb, И. А. Аверинa, Ж. А. Пенчеваc, В. А. Мошниковde

a Пензенский государственный университет, 440026 Пенза, Россия
b Софийский университет им. Св. Климента Охридского, 1164 София, Болгария
c Русенский университет им. Ангела Кынчева, 7000 Русе, Болгария
d Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия
e Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Сопоставление фотокаталитических и фотолюминесцентных свойств оксида цинка, легированного малыми количествами меди и марганца, показало, что взаимосвязь между двумя этими явлениями зависит от нескольких причин, главные из которых – кристаллическое состояние материала, тип и концентрация модификатора. Увеличение концентрации легирующих добавок приводит к росту интенсивности фотолюминесценции и уменьшению фотокаталитической активности. Установлено, что механизм включения допанта оказывает существенное влияние на исследованную взаимосвязь, приводя в некоторых случаях к отклонению от указанной тенденции.

Поступила в редакцию: 19.08.2013
Принята в печать: 02.10.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:7, 842–847

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025