RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 7, страницы 890–893 (Mi phts7642)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Электронные свойства полупроводников

Фотопроводимость пленок CdS, чистых и с примесями ионов щелочных металлов

Т. Л. Майорова, В. Г. Клюев, Ю. С. Бездетко

Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия

Аннотация: Исследованы неравновесные электронные процессы, происходящие при разгорании и релаксации фотопроводимости пиролитических пленок сульфида кадмия, чистых и легированных щелочными металлами. Нарастание фототока и его релаксация происходят медленно. В некоторых случаях на кривой разгорания фототока наблюдается $S$-образность, а также несколько “порогов”. Зависимость стационарного фототока от интенсивности возбуждения носит сверхлинейный характер. Введение примеси щелочных металлов приводит к увеличению фототока пленок сульфида кадмия по сравнению с чистыми вплоть до порядка. Наблюдаемые особенности кинетики фотопроводимости исследуемых структур объясняются существенным влиянием центров прилипания нескольких типов на поведение неравновесных носителей заряда.

Поступила в редакцию: 07.11.2013
Принята в печать: 28.11.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:7, 864–867

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025