Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN

В рамках работы показано, что для более полного анализа статистических параметров морфологии поверхности твердых тел, в частности эпитаксиальных пленок GaN, необходимо получать соотношение скейлинга. Данное соотношение учитывает параметры как эксперимента, так и условий исследования. На примере исследования методами атомно-силовой микроскопии эпитаксиальных пленок нитрида галлия, полученных при различных температурах, показано, что соотношение скейлинга позволяет связать в одном уравнении три параметра: температуру роста, ширину области сканирования и количество точек измерения. Из полученного соотношения можно более точно оценить шероховатость поверхности при областях сканирования более 10 $\times$ 10 мкм и спрогнозировать ее величину при изменении температуры роста.