Определение диффузионной длины неосновных носителей заряда в полупроводнике по динамическим неравновесным вольт-амперным характеристикам МДП структур

Предложен метод определения диффузионной длины неосновных носителей заряда $L_{de}$ в полупроводнике по динамическим неравновесным вольт-амперным характеристикам МДП структур. Метод позволяет исключить влияние объемной генерации в полупроводнике на $L_{de}$ и снизить температуру измерений. Показана возможность исследования эффективного профиля $L_{de}$ в приповерхностном слое полупроводника при неоднородном распределении электрически активных дефектов по глубине материала. Исследованы значения $L_{de}$ в МДП структурах на кремнии, применяемых в технологии интегральных схем. Рассмотрено влияние внутреннего геттерирования дефектов в кремнии и облучения МДП структур низкоэнергетическими электронами (10–30 кэВ) на эффективные профили $L_{de}$ в приповерхностном слое полупроводника.