Влияние монооксида кремния на процесс формирования кремниевых нанокластеров (моделирование методом Монте-Карло)

Исследовалось формирование нанокластеров кремния (Si-НК) в процессе отжига слоев состава SiO$_x$ (1 $\le x<$ 2) с использованием решеточной модели Монте-Карло. Моделирование проводилось с учeтом дополнительного механизма переноса кремния за счeт диффузии частиц монооксида кремния (SiO). Показано, что наличие SiO в системе приводит к увеличению размера критического зародыша Si-НК и может приводить к увеличению скорости роста нанокластеров. Формирование Si-НК при отжиге слоeв SiO$_x$ происходило только для состава с $x<$ 1.8. При отжиге слоeв SiO$_x$ на кремниевой подложке наблюдалось появление области обеднения нанокластерами прилегающего к подложке слоя. Это даeт возможность получения в матрице SiO$_2$ Si-НК, отстоящих на определенном расстоянии от границы раздела Si/SiO$_2$.