RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 7, страницы 963–969 (Mi phts7653)

Физика полупроводниковых приборов

Влияние нейтронного облучения на структуру кремниевых диффузионных $p$$n$-переходов ограничителей напряжения

А. З. Рахматов

OOO "FOTON", 100047 Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Проанализировано изменение вольт-фарадных характеристик $p$$n$-переходов с линейным или близким к нему распределением нескомпенсированного заряда под воздействием нейтронного облучения. Подтверждено, что в результате такого воздействия вблизи $p$$n$-перехода образуется область с собственной проводимостью. Получены эмпирические формулы, описывающие зависимость размеров этой области, а также эффективного градиента концентрации нескомпенсированного заряда от флюенса нейтронов в широком диапазоне начальных значений (до воздействия нейтронов) градиента концентраций (от 3 $\cdot$ 10$^{18}$ до 2 $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-4}$) и исходных значений удельного сопротивления кремния (от 0.3 до 2 Ом $\cdot$ см).

Поступила в редакцию: 17.07.2013
Принята в печать: 02.09.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:7, 935–941

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025