RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 7, страницы 1002–1006 (Mi phts7658)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Структура нанопроволок InSb в каналах хризотилового асбеста

О. Н. Урюпинa, Н. Ф. Картенкоa, Н. Ю. Табачковаb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Московский институт стали и сплавов, 119049 Москва, Россия

Аннотация: Исследована кристаллическая структура ультратонких нанопроволок антимонида индия, полученных вдавливанием расплава полупроводника в каналы хризотилового асбеста. Показано, что нанопроволоки имеют поликристаллическую структуру. Средний размер кристаллитов сравним с диаметром проволок и равен 4.4 нм.

Поступила в редакцию: 05.11.2013
Принята в печать: 11.11.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:7, 974–978

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025