RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 8, страницы 1017–1023 (Mi phts7661)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Деформационные парамагнитные дефекты в кристаллах кремния Fz-$^{29}$Si:P

О. В. Коплакa, А. И. Дмитриевa, С. Г. Васильевa, Э. А. Штейнманb, С. И. Алексеевc, Р. Б. Моргуновa

a Институт проблем химической физики Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
b Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
c Евразийский открытый институт, 109052 Москва, Россия

Аннотация: Обнаружены парамагнитные дефекты нового типа, возникающие при пластической деформации и температуре 1223 K изотопно-обогащенных кристаллов кремния, выращенных зонной плавкой, Fz-Si:P (76% $^{29}$Si). Анизотропные спектры электронного парамагнитного резонанса этих дефектов свидетельствуют о том, что они являются примесными, а их спин $S$ = 1. Спектры ядерного магнитного резонанса являются дублетами Пейка, расщепленными спин-спиновым ядерным взаимодействием и уширенными электронно-ядерной диполь-дипольной релаксацией.

Поступила в редакцию: 14.11.2013
Принята в печать: 03.12.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:8, 989–995

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025