RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 8, страницы 1055–1058 (Mi phts7668)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Характеризация пористого карбида кремния по спектрам поглощения и фотолюминесценции

Н. И. Березовскаяa, Ю. Ю. Бачериковb, Р. В. Конаковаb, О. Б. Охрименкоb, О. С. Литвинb, Л. Г. Линецc, А. М. Светличныйc

a Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко (физический факультет), 01601 Киев, Украина
b Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, 03028 Киев, Украина
c Таганрогский технологический институт Южного федерального университета (ТТИ ЮФУ), 347928 Таганрог, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследований методами атомно-силовой микроскопии, спектроскопии оптического поглощения и фотолюминесценции пористого карбида кремния, созданного методом анодного травления. Анализ полученных данных указывает на отсутствие в пористом слое фазы кубического SiC, а появление фотолюминесценции por-SiC при энергии возбуждающего излучения $h\nu_{\mathrm{ex}}\le E_g$ обусловлено образованием центров излучения, связанных с атомами примеси и поверхностными дефектами, возникающими при анодном травлении образца и последующей обработке, вскрывающей поры.

Поступила в редакцию: 28.11.2013
Принята в печать: 29.12.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:8, 1028–1030

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025