Аннотация:
Представлены результаты исследований методами атомно-силовой микроскопии, спектроскопии оптического поглощения и фотолюминесценции пористого карбида кремния, созданного методом анодного травления. Анализ полученных данных указывает на отсутствие в пористом слое фазы кубического SiC, а появление фотолюминесценции por-SiC при энергии возбуждающего излучения $h\nu_{\mathrm{ex}}\le E_g$ обусловлено образованием центров излучения, связанных с атомами примеси и поверхностными дефектами, возникающими при анодном травлении образца и последующей обработке, вскрывающей поры.
Поступила в редакцию: 28.11.2013 Принята в печать: 29.12.2013