RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 8, страницы 1070–1074 (Mi phts7671)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Изменение электрофизических свойств кремниевых МОП-структур с наноразмерным окислом кремния под воздействием паров воды

П. П. Фастыковский, М. А. Глауберман

Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова, 65082 Одесса, Украина

Аннотация: Исследованы зависимости поверхностного потенциала и плотности поверхностных состояний кремниевых МОП-структур с наноразмерным окислом кремния от влажности окружающей газовой среды. На основании модели влагочувствительности таких структур, находящихся в режимах обеднения и слабой инверсии, получено аналитическое выражение, связывающее поверхностных потенциал с влажностью, параметрами окисла, полупроводника и границы раздела окисле-полупроводник. Проведенные расчеты подтвердили справедливость этого выражения и позволили установить критерии линейности зависимости поверхностного потенциала от влажности. Исследованы зависимости поверхностного потенциала и плотности поверхностных состояний кремниевых МОП-структур с наноразмерным окислом кремния от влажности окружающей газовой среды. На основании модели влагочувствительности таких структур, находящихся в режимах обеднения и слабой инверсии, получена аналитическая зависимость поверхностного потенциала от влажности и определены критерии ее линейности. Справедливость аналитической зависимости подтверждена экспериментально.

Поступила в редакцию: 21.03.2013
Принята в печать: 29.04.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:8, 1041–1045

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025