RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 8, страницы 1117–1122 (Mi phts7677)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

О природе трещин на примере монокристаллического кремния, подвергнутого анодному травлению

Н. Н. Герасименкоabc, К. Б. Тыныштыкбаевd, В. В. Старковe, Н. А. Медетовa, С. Ж. Токмолдинd, Е. А. Гостеваf

a НИУ "Московский государственный институт электронной техники", 124498 Зеленоград, Москва, Россия
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия
c Национальный исследовательский Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
d Физико-технический институт, 005032 Алматы, Республика Казахстан
e Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
f Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", 119049 Москва, Россия

Аннотация: При длительном анодном травлении монокристаллического кремния $p$-Si (100) в электролитах с внутренним источником тока наблюдается образование трещин. Показано, что трещины формируются в условиях “мягкого” воздействия, когда возможно образование квазиравновесных точечных дефектов, их последующее пространственно-временное распределение в результате миграции к различным стокам и образование пор. Условия “мягкого” воздействия имеют место при электротехническом травлении в электролите с внутренним источником тока, а также при низкоэнергетических околопороговых радиационных облучениях, при тепловых, механических, химических и других воздействиях. Сделано заключение об общем характере процессов образования трещин в упругих твердых телах, связанном с трансформацией пор при длительных временах воздействия в микропоры и трещины.

Поступила в редакцию: 30.05.2013
Принята в печать: 06.12.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:8, 1088–1093

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025