Исследование фотоэффектов в кремнии, легированном скандием

Исследованы фотоемкость и фотопроводимость кремния с примесью скандия. Показано, что Sc в Si создает глубокие уровни ${E_{1}=E_{c}-(0.15\div0.20)}$, ${E_{2}=E_{c}-0.27}$, ${E_{3}=E_{c}-0.35}$ ${E_{4}=E_{c}-(0.50\div0.55)}$, ${E_{5}=E_{v}+0.45}$ эВ. Определены спектральные зависимости сечений фотоионизации электронов $\chi_{n}$ для уровней $E_{2}$ и $E_{4}$, выявлено, что для данных уровней характерно соотношение ${\chi_{p}>\chi_{n}}$. Рассмотрены особенности фотопроводимости $n$-Si$\langle$Sc$\rangle$ при комбинированном освещении.