Сбор фотоносителей в высокоомных кремниевых аморфно-кристаллических гетероструктурах

Pассматривается механизм электронного транспорта в аморфно-кристаллических гетероструктурах, созданных на основе высокоомного $p$-кремния, с целью объяснения особенностей экспериментальных спектров фоточувствительности указанных структур, приготовленных на подложках с различным удельным сопротивлением. Выясняется причина образования инверсионного слоя на гетерогранице в данных структурах и влияние удельного сопротивления на величину поверхностных потенциалов. Приведены нетривиальные данные о влиянии работы выхода металлических контактов к аморфной пленке на механизм образования фототока.