RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 9, страницы 1234–1236 (Mi phts7696)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние длительности электрохимического анодирования на микротвердость макропористого кремния

А. А. Дмитриевский, Н. Ю. Ефремова, А. В. Дружкин, Т. О. Коростелева, Д. Г. Гусева

Тамбовский государственный университет им. Г. Р. Державина, 392000 Тамбов, Россия

Аннотация: Исследована зависимость микротвердости $H$ формируемых макропористых слоев кремния от длительности электрохимического анодирования $t_{\mathrm{an}}$ при постоянной плотности тока $J$ = 20 мА/см$^2$. Показано, что нелинейный характер зависимости $H(t_{\mathrm{an}})$ обусловлен влиянием на микротвердость не только поверхностной плотности пор, но и монокристаллической основы при $L<$ 10 $h$, где $L$ и $h$ – толщина пористого слоя и глубина внедрения индентора соответственно.

Поступила в редакцию: 23.10.2013
Принята в печать: 07.11.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:9, 1202–1204

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025