В. М. Андреев, Е. А. Гребенщикова, П. А. Дмитриев, Н. Д. Ильинская, В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, А. В. Малевская, А. А. Усикова, “Влияние постростовых технологий на характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga(In)As/Ge”, Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 9,страницы 1249

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние постростовых технологий на характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga(In)As/Ge

В. М. Андреев, Е. А. Гребенщикова, П. А. Дмитриев, Н. Д. Ильинская, В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, А. В. Малевская, А. А. Усикова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga(In)As/Ge в зависимости от метода формирования чипа фотоэлемента. Показано, что применение разработанной постростовой технологии разделения на чипы наногетероструктуры в едином процессе позволяет повысить качество пассивации боковой поверхности мезы чипов, что обеспечивает уменьшение поверхностных токов утечки и увеличение выхода приборов с улучшенными характеристиками.

Поступила в редакцию: 27.12.2013
Принята в печать: 20.01.2014