RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 9, страницы 1265–1268 (Mi phts7702)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Взаимодействие гетерогенных тонких пленок и образование фаз в системе Tl–Fe–S

Э. Б. Аскеровab, А. И. Мададзадаac, Д. И. Исмаиловc, Р. Н. Мехтиеваb

a Объединенный институт ядерных исследований, 141980 Дубна, Россия
b Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан
c Институт физики НАН Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Методами дифракции электронов высоких энергий с дискретной съемкой дифракционного поля и применительно к электронографу ЭМР-102 кинематической электронографией исследованы процессы фазообразования и фазовых переходов в тонких слоях Tl–Fe–S. Установлено, что соединения систем Tl–S, Fe–S образуются в аморфном и высокодисперсном поликристаллическом состояниях соответственно. Тройное соединение состава TlFeS$_2$, образующееся в аморфном состоянии, при термообработке кристаллизуется в моноклинной решетке. При рекристаллизации поликристаллических пленок моноклинного TlFeS$_2$ образуется моноклинная решетка вторичной фазы TlFeS$_2$.

Поступила в редакцию: 01.10.2013
Принята в печать: 07.11.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:9, 1233–1236

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025