Фотолюминесценция квантово-размерных слоев в AlGaAs-гетероструктурах, полученных методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии

На основании исследований спектрального распределения и интенсивности фотолюминесценции при ${T=77}$ и 300 K нелегированных и легированных германием AlGaAs-гетероструктур с толщиной активной области ${d= 50\div100}$ Å (температура начала кристаллизации 460$^{\circ}$С) показано, что: а)  метод низкотемпературной ЖФЭ позволяет получать AlGaAs-гетероструктуры с квантово-размерными областями, флуктуации толщины которых не превышают «${\pm1}$ монослой»; б)  внутренний квантовый выход излучательной рекомбинации в таких активных областях близок к 100% при ${T=300}$ K и плотности возбуждения ${\gtrsim100\,\text{А/см}^{2}}$.