Влияние отклонений от стехиометрии на электрические и фотоэлектрические свойства соединения Hg$_3$In$_2$Te$_6$

Представлены результаты исследований электрических и фотоэлектрических свойств объемных кристаллов Hg$_3$In$_2$Te$_6$ стехиометрического состава и кристаллов с отклонением от стехиометрии Hg$_{3(1+\delta)}$In$_{2(1-\delta)}$Te$_6$, $\delta$ = $\pm$ 0.06. Показано, что изменение соотношения компонентов Hg и In в кристаллах ведет к увеличению концентрации взаимокомпенсирующих доноров и акцепторов, которые практически не влияют на положение донорного уровня в запрещенной зоне (энергия уровня $E_D=E_c$ – (0.18 $\pm$ 0.02) эВ), но определяют спектр фотопроводимости вблизи края собственного поглощения. Приводятся выражение для спектральной зависимости фототока и параметры неравновесных носителей заряда, описывающие эксперимент.