А. В. Чудинов, В. П. Чалый, А. Е. Свелокузов, А. В. Васильев, А. Л. Тер-Мартиросян, Д. З. Гарбузов, “Фотолюминесцентные исследования InGaAsP/InP-гетероструктур с толщиной активной области от 40 до 1000 Å”, Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 7,страницы 1217

Фотолюминесцентные исследования InGaAsP/InP-гетероструктур с толщиной активной области от 40 до 1000 Å

А. В. Чудинов, В. П. Чалый, А. Е. Свелокузов, А. В. Васильев, А. Л. Тер-Мартиросян, Д. З. Гарбузов

Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции жидкофазных InGaAsP/InP-гетероструктур (${\lambda=1.3}$ мкм) с толщинами активной области от 40 до 1000 Å. Обнаружена корреляция между параметрами спектров и некоторыми особенностями режимов выращивания исследованных структур.