RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 10, страницы 1370–1376 (Mi phts7721)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Транспорт заряда в нанокомпозитных структурах кремний-SiО$_2$, кремний-ТiО$_2$

Ю. С. Милованов, Г. В. Кузнецов, В. А. Скрышевский, С. М. Стюпан

Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, 01601 Киев, Украина

Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований дисперсных нанокомпозитных систем кремний-SiО$_2$ и кремний-ТiО$_2$, отличающихся физико-химическими и диэлектрическими свойствами оксидных компонентов. Параметры нанокомпозитных структур исследованы методами ИК-спектроскопии и импеданс-спектроскопии. Показано, что механизмы прохождения носителей заряда в таких структурах определяются как свойствами нанокристаллитов кремния и соответствующего оксида, так и процессами взаимодействия на межзеренных границах.

Поступила в редакцию: 17.12.2013
Принята в печать: 11.03.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:10, 1335–1341

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025