Фотоэлектрический переходный процесс в неупорядоченном полупроводнике

Проанализирован фотоэлектрический переходный процесс в структуре на основе аморфного полупроводника с омическими контактами при стандартной методике определения времени пролета носителей. Показано, что нестационарная инжекция приводит к начальному нарастанию фототока, а также затянутой (по сравнению с пролетными временами) его релаксации. Характерным временем спада фотосигнала может быть не только время пролета (как это имеет место в структурах с блокирующим контактом), но и время, при котором эффективная длина захвата подвижных носителей сравнивается с толщиной образца, а также время обратного смещения инжектирующего контакта.