Исследования релаксации избыточного тока кремниевых диодов Шоттки

Посвящена исследованию релаксации избыточного тока кремниевых $\alpha$-NiTi-$n$-Si диодов Шоттки, подвергнутых $\gamma$-облучению либо локальному нарушению структуры границы раздела с помощью алмазного индентора. Уменьшение избыточного тока диода достигалось как с помощью термоотжига, так и путем ультразвукового облучения. Параллельно исследовались параметры солнечных элементов, изготовленных из указанных диодов Шоттки, подвергнутых $\gamma$-облучению и однократному либо двукратному ультразвуковому облучению. Было показано, что после воздействия алмазным индентором избыточный ток диода уменьшен, путем термоотжига, однако уменьшение избыточного тока к исходной величине не достигается. Фотоэлектрические параметры исследованных солнечных элементов до облучения, после $\gamma$-облучения и однократного или двукратного ультразвукового облучения, показывают, что ультразвуковые обработки более эффективны, чем термоотжиг.