RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 11, страницы 1484–1486 (Mi phts7742)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Электронографические исследования образования фаз Tl–Fe–Se и кинетики фазовых превращений пленок TlFeSe$_2$

Э. Б. Аскеровab, А. И. Мададзадаac, Д. И. Исмаиловc, Р. Н. Мехтиеваa

a Объединенный институт ядерных исследований, 141980 Дубна, Россия
b Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан
c Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Методом электронографического структурного анализа и кинематической электронографией исследованы условия образования фаз в системе Tl–Fe–Se и кинетика кристаллизации аморфных пленок TlFeSe$_2$. Показано, что кристаллизация аморфных пленок TlFeSe$_2$ описывается аналитическим выражением кинетических кривых фазовых превращений $V_t=V_0[1-\exp(kt^m)]$. Определены мерность роста при кристаллизации аморфных пленок TlFeSe$_2$, равная 3, и значения энергии активации зародышеобразования и роста кристалликов.

Поступила в редакцию: 18.03.2014
Принята в печать: 28.03.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:11, 1449–1451

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025