RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 11, страницы 1562–1563 (Mi phts7756)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Образование фаз при взаимодействии тонких пленок системы Yb$_{1-x}$Sm$_x$Те–As$_2$Te$_3$

Э. Ш. Гаджиев

Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Исследовано образование фаз при взаимодействия тонких пленок Yb$_{1-x}$Sm$_x$Те ($x$ = 0.02) и As$_2$Te$_3$, полученных при одновременном и последовательном испарении. Показано, что в результате взаимодействий тонких пленок образуются фазы Yb$_{1-x}$Sm$_x$As$_4$Te$_7$ при температуре 473 K и Yb$_{1-x}$Sm$_x$As$_2$Te$_4$ при 503 K.

Поступила в редакцию: 15.05.2013
Принята в печать: 24.02.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:11, 1525–1526

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025