RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 12, страницы 1597–1601 (Mi phts7763)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Термостимулированное излучение в диапазоне 3–15 ТГц на частотах плазмон-фононов в полярных полупроводниках

Ю. Пожела, К. Пожела, А. Шиленас, Э. Ширмулис, И. Кашалинас, В. Юцене, Р. Венкевичиюс

Институт физики полупроводников Центра физических и технологических наук, 01108 Вильнюс, Литва

Аннотация: Рассмотрены возможности выделения терагерцового (ТГц) излучения заданной частоты с высоким уровнем когерентности из некогерентного теплового излучения горячего тела. Экспериментально показано, что гладкая (без дифракционных направляющих) плоская поверхность нагретых пластин GaAs и AlGaAs испускает непрерывное направленное ТГц излучение на частотах связанных колебаний поверхностных плазмон-фононов. Измерение спектра коэффициента отражения ТГц излучения демонстрируется как метод идентификации частот плазмонов, оптических фононов и связанных плазмон-фононных колебаний в полупроводниках.

Поступила в редакцию: 14.05.2014
Принята в печать: 20.05.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:12, 1557–1561

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025