Наноструктурированные халькогенидные пленки Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$, полученные методом лазерного электродиспергирования

Методом лазерного электродиспергирования получены аморфные наноструктурированные пленки сложного халькогенида (Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$) и исследованы их структурные и электрические свойства. Установлено, что характерный размер аморфных наночастиц Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ в структуре пленок составляет 1.5–5 нм.