RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 12, страницы 1640–1645 (Mi phts7770)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Многопериодные квантово-каскадные наногетероструктуры: эпитаксия и диагностика

А. Ю. Егоровa, П. Н. Брунковab, Е. В. Никитинаa, Е. В. Пироговa, М. С. Соболевa, А. А. Лазаренкоa, М. В. Байдаковаb, Д. А. Кириленкоb, С. Г. Конниковb

a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Обсуждаются успехи технологии производства многопериодных наногетероструктур квантово-каскадных лазеров, с числом каскадов равным 60, методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием промышленной многоподложечной установки. Приведены результаты исследования наногетероструктур квантово-каскадных лазеров методами просвечивающей электронной микроскопии, рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения и картографирования фотолюминесценции.

Поступила в редакцию: 20.05.2014
Принята в печать: 30.05.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:12, 1600–1604

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025