Увеличение подвижности электронов в НЕМТ гетероструктурах с составным спейсером, содержащим нанослои AlAs

Теоретически и экспериментально показано влияние гибридизации квантовых состояний на электронный транспорт в $\delta$-легированной через спейсер двухбарьерной квантовой яме в пределе сильного легирования. Предложен способ увеличения подвижности электронов в квантовой яме за счет подавления туннельной связи с областью доноров за счет введения наноразмерного барьера AlAs в спейсер. Экспериментально показано, что в образцах с неглубокой КЯ введенный в спейсер нанобарьер AlAs приводит к более чем 3-кратному увеличению подвижности электронов при низких температурах.